OB5511

描述

OB5511是一集成高压工艺与与数模混合技术的主控芯片。OB5511具备快速的单周期8051内核，8KB闪存，512B SRAM，能执行所有ASM51兼容指令,与MCS-51相同的指令设置。片内集成有DC Regulator，ADC，MOSFET，过零检测线路等模拟模块，可直接驱动5个继电器或可控硅，芯片能操作在系统电源12V以下。

 

特征

l  指令设置兼容 MCS-51

l  8K字节的片上闪存程序存储器

l  512 字节的标准的8052 RAM

l  双16-bit 数据指针 (DPTR0&DPTR1)

l  3个16-bit 的定时器/计数器（计时器0,1,2, 3）

l  最多7个 GPIO

l  外部中断源: INTx 1

l  I2C x 1

l  UART x 1

l  可编程的看门狗定时器（WDT）

l  2路12位模拟数字转换（ADC）

l  片上闪存存储器支持ICP及EEPROM 功能

l  低电压中断LVI/低电压复位LVR

l  电源管理单元空闲及掉电模式

l  支持在线仿真(OCD)功能

l  高速1T架构，最高可达16MHz

n   高压模拟单元集成5V LDO

n   输入电压: 6V~12V

n   输出电压: 5V ±2%@25°C. ±4%@ -40°C~85°C

n   最大输出电流: 200mA

n   集成5个 开漏端口, 80mA灌电流能力

n   集成一个运放(OPA)

n   集成1路过零检测 (ZD)

l   封装型态:  16-SOP

 

系统应用图