OB21085

概述

OB21085是一款高效率的降压型DC-DC转换芯片。芯片采用自调节COT架构，在宽范围输入电压下，CCM工作频率基本不变。负载变化时，通过变频实现良好的动态响应。芯片内置模拟纹波电路，无需外部补偿网络，可在宽负载范围内提供稳定的输出。

芯片集成了高压开关，具有过流保护、过温保护，避免芯片在超负荷负载或者温度过高时受到损坏。提供了输入电压欠压保护，输出电压短路保护，保证各种电压情况下芯片安全。

 

特性

Ÿ 100V最高工作电压

Ÿ ±2%的反馈电压精度

Ÿ 输入欠压保护

Ÿ 输出短路保护

Ÿ 过温保护

Ÿ 过流保护

Ÿ 输出电流能力通过外置电阻可调

Ÿ 使能端控制

 

 

应用

·         电动自行车

·         平衡车

·         通用DC-DC

 

 

 

 

典型应用图  

 

 

基本信息

 

订购信息 

型号	描述
OB21085ZCPP-T	ESOP8, Halogen-free in Tube
OB21085ZCPPA-T	ESOP8, Halogen-free in T&R

额定封装散热

封装	RqJA (℃/W)
ESOP8	80

极限参数

参数	符号	参数范围	单位
输入工作电压范围	VIN	+100	V
开关端电压范围	VSW	-0.3~VIN+0.3	V
自举端电压范围	VBS	VSW+12	V
反馈端电压	VFB	-0.3~+6	V
使能端电压	VEN	-0.3~+6	V
最高工作结温	TJ	150	℃
贮存温度范围	TSTG	-55～+150	℃

备注: 芯片的实际应用条件超出规定的“应用极限值”将会对芯片造成永久性损伤。以上应用极限值标志了芯片可承受应力等级，但并不建议芯片在此极限条件或超出“推荐工作条件”下工作。芯片长时间处于最大额定工作条件，会影响芯片的可靠性。

 

 

 

标识信息

 

 

引脚排布

附注：出厂默认值注意事项

 

引脚说明

Pin Num	Pin Name	I/O	Description
1	ENA	I	使能信号输入
2	GND	G	芯片地
3	VCC	I/O	自举电容充电端
4	VFB	I	输出电压反馈
5	DRAIN	O	内部开关漏极
6	SW	O	内部开关源极
7	VB	I/O	自举电压端
8	VIN	P	芯片电压输入
底部裸露焊盘		O	内部开关漏极